《表1 磁控共溅射法制备TZO薄膜的工艺参数》

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《衬底温度对共溅射法制备TZO薄膜光电性能的影响》

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采用磁控溅射仪（PVD-75型，美国Kurt J.Lesker公司）在氩气气氛下，用直流与射频磁控共溅射方法在规格为40mm×15mm×1.1mm的普通浮法玻璃衬底上沉积TZO薄膜。实验所选靶材为高纯金属Ti靶（纯度99.999%）和ZnO陶瓷靶（纯度99.99%）。制备样品前先用无水乙醇清洗玻璃基片，将其依次放入丙酮和去离子水中分别超声清洗10min，用氮气枪吹干后立即放入溅射室。抽溅射室的本底真空，通过改变衬底温度得到TZO薄膜样品。在不同衬底温度（室温、150℃、250℃、350℃、450℃）条件下制备的样品分别命名为RT，150T，250T，350T和450T。开始溅射前先预溅射2min，除去金属Ti靶和ZnO陶瓷靶表面的杂质，TZO薄膜制备工艺参数如表1所示。