《表1 磁控溅射沉积工艺参数》

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《磁控溅射不同元素掺杂WS_2薄膜的组织和纳米压痕力学性能》

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采用JGP045CA型磁控溅射沉积系统制备WS2薄膜、Ti/WS2复合薄膜和La-Ti/WS2复合薄膜。在射频靶位安装WS2靶（纯度99.99%），在两个直流靶位各安装原子比为1∶1的稀土La-Ti合金靶（纯度99.9%）和钛靶（纯度99.9%），靶材尺寸均为50.8 mm×3 mm。基体材料选用表面尺寸为10mm×10 mm的单晶硅片（P型，晶向指数〈100〉），依次在无水乙醇、丙酮中超声波清洗15min以去除表面杂质和油污，自然风干。将硅片放入真空室，在0.8Pa的沉积压力下先沉积一层La-Ti过渡层，以提高膜层与基材的结合力，再在过渡层上分别沉积WS2薄膜、Ti/WS2复合薄膜和La-Ti/WS2复合薄膜，工艺参数见表1。在相同工艺参数下，提高沉积压力至1.2Pa制备这3种薄膜。