《表1 不同磁控溅射技术沉积的Cr N和Cr-Mo-N涂层的工艺参数》

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《磁控溅射工艺控制模式对Cr(Mo)N涂层的影响》

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分别采用Pulsed DC和Hi PIMS技术在镜面抛光的304不锈钢和单晶硅片（100）上沉积Cr N涂层，再利用Hybrid技术沉积Cr-Mo-N涂层。将基片分别置于丙酮及酒精溶液中各超声清洗20 min，然后用高纯氮气吹干装进镀膜室，镀膜前先通入工作气体Ar，再开启Cr靶，在-700 V偏压条件下利用Cr离子轰击清洗基片5 min，去除表面污物。然后将偏压降至-100 V，沉积Cr过渡层，时间约15 min，以提高膜/基结合强度、释放涂层应力。再通入反应气体N2，沉积Cr N涂层，2种磁控溅射模式均使用金属Cr靶（纯度为99.9 wt.%），靶基距为100 mm。当沉积Cr-Mo-N涂层时，Hi PIMS和Pulsed DC分别连接Cr和Mo靶（纯度均为99.9 wt.%），两靶材在镀膜室炉体上相对安装，靶基距均为100 mm。镀膜前先开启Hi PIMS Cr靶，在-700 V偏压下轰击清洗基片5 min，然后偏压降至-100 V，沉积Cr过渡层15 min，再通入反应气体N2，并增开Pulsed DC Mo靶，沉积Cr-Mo-N涂层。为减轻靶钝化现象，氩气和氮气分别通至靶面及基片附近，实验所用气体纯度均为99.999%。通过改变镀膜时间控制涂层厚度，不同磁控溅射技术沉积的Cr N和Cr-Mo-N涂层的工艺参数如表1所示。