《表1 磁控共溅射法制备AZO薄膜的参数Tab.1 Parameters of AZO thin films prepared by magnetron co-sputtering》

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《共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究》

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采用美国Kurt J.lesker公司的PVD-75型磁控溅射仪，在氩气氛围下，用直流与射频双靶磁控共溅射方法，在尺寸为40 mm×15 mm×1.1 mm的普通浮法玻璃衬底上沉积AZO薄膜。实验所选靶材为高纯金属Al靶（纯度99.995%）和Zn O陶瓷靶（纯度99.99%）。制样前，先将准备好的玻璃基片用无水乙醇清洗，然后依次放入丙酮和去离子水中各超声清洗10 min，用氮气枪吹干后立即放入溅射室。调节氩气压力为1.3 Pa，衬底温度为室温。固定Zn O陶瓷靶射频溅射的功率，通过调节金属Al靶直流溅射功率的大小，以获得不同Al掺杂量的AZO薄膜样品。开始溅射前先预溅2 min，除去靶材表面的杂质并使系统稳定。具体的工艺参数如表1所示。