《表1 直流溅射功率对薄膜性能影响》

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《磁控溅射法制备晶格大尺寸的ITO薄膜》

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表1为不同直流功率对获得的ITO薄膜性能的影响，固定ITO薄膜厚度为30 nm情况下，随着直流溅射功率增加，薄膜透过率上升后下降，200 W条件下透过率最佳。方块电阻200 W条件下阻值最小。直流溅射功率越大，薄膜沉积速度越快，薄膜致密度越差，当速度过快，ITO原子沉积在基板无法快速分散时会形成结瘤等缺陷。纵使采用退火手法，仍无法将结瘤缺陷重排，改善ITO的晶格形貌。图1为直流溅射功率对薄膜晶格形貌的影响，从扫描电子显微镜（SEM）图上看，随着功率的增加，晶格大小先增大后减小，最佳晶格大小为200 W。综合透过率、方块电阻、晶格大小、直流功率，在200 W条件下晶格光电性能及其晶格形貌最佳。