《表2 直流溅射功率对薄膜性能影响》

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《磁控溅射法制备晶格大尺寸的ITO薄膜》

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表2是不同射频功率下获得的ITO薄膜性能，固定ITO薄膜厚度为30 nm情况下，随着射频溅射功率增加。薄膜透过率下上升后下降，300 W条件下透过率最佳；随着射频功率的增加，其方块电阻变化不大。图2为射频溅射功率对薄膜晶体形貌影响，电子显微镜（SEM）图1和图2对比，磁控溅射机台增加射频功率，ITO薄膜的晶体尺寸大小从纳米级别上升至微米级别，晶体尺寸得到了大幅增加，且随着射频功率的提升，ITO的晶界分明且齐整，有利于ITO薄膜的光透过和载流子横向传导电流。