《表3 不同擦除脉冲数量条件下浮栅型P-FLASH器件阈值电压的漂移量》

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《90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究》

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实验分别采用1/10个擦除脉冲对浮栅型P-FLASH器件进行擦除操作，各选取3只（擦除态1/擦除态2）浮栅器件在同一辐照环境下进行总剂量辐照。辐照后擦除态浮栅型P-FLASH器件转移特性曲线如图7所示，器件阈值电压的漂移量ΔVTE如表3所示。