《表4 PDE为20%，工作温度为233K时，器件在不同尺寸下的DCR和后脉冲概率统计分布》

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《InP基近红外单光子雪崩光电探测器阵列》

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2015年该公司Jiang等[18]统计分析并报道了其阵列DCR和后脉冲概率与像元直径的关系，报道结果如表4所示。可以看出，器件直径减小到16μm时可以大幅减小DCR，器件直径对后脉冲概率影响不大，像元面积与DCR和后脉冲概率并不总成正比。因此单元器件还有优化的余地，且在设计阵列器件时要权衡各项性能参数。