《表2 器件Vbreak、Vex为4V时的DCR和PDE值》

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《InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究》

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理想情况下，不同温度的过偏压为4V时，器件的Vbreak、DCR和PDE如表2所示。通过给倍增层厚度（Hm）、电荷层厚度（Hcharge）、电荷层掺杂浓度（Ncharge）、吸收层厚度（Habsorption）以及Vex施加各±10%的改变量，得到器件参数的绝对变化和相对变化值，从而得到各参数对器件性能的影响程度。