《表2 不同退火温度器件的启亮电压》

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《低启亮电压全溶液加工量子点发光器件》

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（V）

通常情况下，Ag NPs表面被有机配体包围，以保护不稳定的活性裸金属表面并保持纳米颗粒的高表面积体积比，防止其自聚集，维持均匀分散状态[28]。但是，这些绝缘配体将阻止电子在Ag NPs之间的传输。Moon[29]等人报道，Ag NPs薄膜在退火过程中，配体将从Ag NPs的表面脱落，使得纳米颗粒之间接触紧密，且随着退火温度的升高，配体脱落更完全，Ag NPs之间融合得更加致密，从而增加Ag NPs薄膜的电导率。因此，为了提高Ag NPs薄膜的电导率，降低Vt，制备了阴极在不同退火温度下的G-QLEDs器件。图2(b）和2(c）显示了在120，130，140℃退火温度下G-QLEDs的V-L曲线。由表2可见，采用sol.Ag NPs阴极器件的Vt随着退火温度从120℃升高至140℃不仅没有降低，反而从3.2V增加到4.0 V，而eva.Ag为阴极器件的Vt则保持在2.8V。由此可知，全溶液加工器件出现较高Vt的原因不是由于Ag NPs膜中配体的残留引起阴极导电性差导致的。