《表3 不同加工工艺薄膜厚度统计表》

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《低启亮电压全溶液加工量子点发光器件》

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为了探索溶液加工阴极器件Vt变化的原因，对ZnO/sol.Ag NPs截面的形貌进行了SEM表征，如图3(a）所示。ZnO/sol.Ag NPs的界面不清晰，可能产生了界面共混，为了验证共混情形的存在，我们分别测量了ZnO、sol-vac.Ag NPs、sol.Ag NPs、eva.Ag、ZnO/sol-vac.Ag NPs、ZnO/sol.Ag NPs和ZnO/Ag薄膜的膜厚，如表3所示。可以看到，直接退火的ZnO/Ag NPs薄膜总厚度小于分别测量的ZnO和Ag NPs厚度之和，说明ZnO/sol.Ag NPs界面发生共混，共混可能产生更多的界面陷阱，俘获电子能力增强，使得G-QLEDs的Vt升高。为了探究界面共混产生的具体原因，我们利用TGME溶剂蒸汽和Ag NPs溶液蒸汽对制备好的器件（除阴极）进行蒸汽处理。具体的操作如下：将TGME溶剂和Ag NPs溶液分别装在小玻璃瓶里，瓶口大小刚好可以放下ITO玻璃片；然后将两个瓶子放到130℃的温度下加热；将制备好的器件放在瓶口，用蒸汽处理3 min；处理后再将器件放在热台上退火15 min，待冷却后刮出阳极边，放入真空蒸镀舱进行Ag阴极制备。图4(c）为蒸汽处理的示意图。