《表2 不同退火温度下碳杂化结构含量》

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《不同退火温度下a-C:Si涂层的热稳定性研究》

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碳原子的配位数通过lammps软件的coord/atom命令计算，计算过程中选取截断半径为0.185 nm[21]，通过计算所得信息文件获得涂层内各类型杂化碳原子数量，并对各类型杂化原子所占比例进行统计。如表2所示，通过液相淬火法模拟的a-C:Si涂层中，同时存在C-sp3、C-sp2和C-sp1三种碳原子杂化类型结构（C—Si键含量为6.59%，在此处未列出），其中，未经退火热处理的a-C:Si涂层内，C-sp3杂化、C-sp2杂化及C-sp1杂化比例分别为72.59%、20.5%和0.32%。此外，500℃热处理后，C-sp3键含量降至43.36%，sp2键比例升高至49.6%，相较于未经退火热处理前升高了29.1%。