《表1 拉曼数据统计：不同退火温度下a-C:Si涂层的热稳定性研究》

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《不同退火温度下a-C:Si涂层的热稳定性研究》

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图6为不同退火温度下a-C:Si涂层G峰位置及峰值积分强度比值图，拉曼数据统计见表1。由图6可知，随退火温度的升高，G峰位置向更高的频率段转移，ID/IG比值逐渐增加。这归因于涂层结构逐渐出现石墨团簇和层状结构[19]。同时，退火温度超过400℃后，两者的增大速率发生突变，这也验证了拉曼曲线在此温度区间发生的转变。对于此突变现象，采用分子动力学模拟，从微观层面进行进一步探究。