《表2 不同编程脉冲数量条件下浮栅型P-FLASH器件阈值电压的漂移量》

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《90nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究》

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实验分别采用1个/10个编程脉冲对浮栅型P-FLASH器件进行编程操作，各选取3只（编程态1/编程态2）浮栅器件在同一辐照环境下进行总剂量辐照。辐照后编程态浮栅型P-FLASH器件转移特性曲线如图6所示，器件阈值电压的漂移量ΔVTP如表2所示。