《表1 器件仿真参数：10kV垂直双扩散绝缘栅型光电导开关结构设计》

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《10kV垂直双扩散绝缘栅型光电导开关结构设计》

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为了证明器件结构的有益性，如图3所示，创建了一个耐压10kV的VDIG-PCSS及一个具有相同衬底的传统纵向型结构PCSS模型仿真，参数见表1。考虑到器件的宽禁带、高场、n沟道导电、光导等特点，仿真中特别应用了GaN温度依赖禁带宽度模型、高场迁移率模型、碰撞电离模型、反型层迁移率模型、光生载流子产生模型等物理模型[20]。其中光生载流子产生模型中所需的双光子吸收消光系数k曲线，是本课题组根据美国Kyma公司（大尺寸自支撑GaN∶Fe晶圆生产商之一）GaN∶Fe衬底对激光（光能2 mJ、波长430～530nm、脉宽5ns）吸收系数实测数据拟合所得[10]。