《表6 阈值电压拟合效果比较》

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《Si C MOSFET功率器件特性参数的提取与拟合》

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阈值电压Uth可以看作关于结温Tj，即Uth=f（Tj）。对于阈值电压Uth。从拟合结果来看（见图19和表6），Si C MOSFET器件阈值电压Uth呈现负温度特性，这是由于高温加剧了半导体的本征激发，导致本征载流子浓度增加，从而更快地形成导电沟道。