《表1 条形栅和华夫饼功率管的阈值电压随辐射剂量的变化关系》

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《抗总剂量辐射华夫饼功率管版图设计》

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表1为条形栅功率管和华夫饼功率管的阈值电压随辐射剂量的变化关系，可以明显看到，两者的阈值电压都随总剂量辐射的累积而降低。N型条形栅功率管在辐照前的Uth为0.62 V，累积600 krad（Si）的辐射后Uth降低为0.57 V，负向漂移了7.1%，因为该工艺下栅氧化层较薄，在辐射的作用下不易俘获陷阱电荷，故阈值电压漂移未特别严重。从表中可以看出，华夫饼功率管和条形栅功率管的情况非常接近，华夫饼结构对总剂量辐射下的阈值电压漂移无明显改善。