《表1 发光峰A和B随激发光功率变化的发光寿命》
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《Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体微纳结构中的激子磁极化子及其发光》
图4是自由激子A和极化激子B的发光寿命图.表1是发光峰A和B在不同激发光功率下的发光寿命变化.不同的弛豫过程导致发光寿命的不同.从表中可以看出，左图自由激子的发光寿命短于极化子激子态（右图）的寿命.A态的复合发光寿命在皮秒量级，由两部分组成，并且随着激发光功率的增加而减小.当激发光功率增加时，较快的弛豫过程占主导.发光寿命的减少反映了更多的激子参与极化子和自旋的耦合相互作用，即转化成B态.随激发光功率增加，B态的发光寿命减少更快，强度增加很快，这是由于其束缚激子态相干辐射增强.
| 图表编号 | XD0043359900 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.01.01 |
| 作者 | 邹双阳、Muhammad Arshad Kamran、杨高岭、刘瑞斌、石丽洁、张用友、贾宝华、钟海政、邹炳锁 |
| 绘制单位 | 北京理工大学纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室、Centre for Micro-Photonics, Faculty of Science, Engineering and Technology, Swinburne University of Technology、Department of Physics, College of Science Majmaah University、Department of Physics of Complex Systems, Faculty of Ph |
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