《表1 器件的性能参数：高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响》

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《高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响》

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图3为用于封装应力测试的装置简图，该装置可以获得单个发光点的实验数据．图3（a）用于测试器件的整体性能；图3(c）测量器件的偏振度（Degree of Polarization，DOP）（DOP=(PTE-PTM）/（PTE+PTM）)[29]，偏振分束器（Polarization Beam Splitter，PBS）将进来的光分成不同的偏振模式来计算DOP，通过在不同水温下测量阈值电流和发光波长得出特征温度T0和波长随温度变化的温度漂移系数λ/T．表1给出了性能测试的结果．从表1测试数据可以看出，芯片特征温度高达233K，表明器件具有非常优异的温度特性，但是另一方面，芯片的偏振度DOP只有0.78，表明芯片承受了较大的外部应变[30]．图3(b）用于测试器件中每个发光点的相关参数，黑色虚线框中的组件放在由计算机控制的精密移动平台上，红色虚线表示光谱和功率分别收集，显微镜物镜（Microscope Objective Lens，MOL）将近场的点成像到屏幕上，狭缝的调整宽度为0.2mm，以便仅能检测到来自指定发光点的光，光谱仪和功率计分别用于采集光谱和功率．