《表1 Cu In S2QDs与其他半导体、量子点阻变器件的阻变性能对比》

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《CuInS_2量子点阻变效应》

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图5所示为Au/Cu In S2/FTO器件典型的I?V特性曲线图，插图为Cu In S2QDs阻变存储器的结构示意图。测试时电压施加在Au电极上，将FTO电极接地，扫描顺序如图中的数字所示：1→2→3→4。采用Keithley 2450对其先施加一个0 V到-5 V再到0 V的循环电压，然后再施加一个0 V到+5 V再到0V的循环电压获得其I?V曲线。可以看出，器件Au/Cu In S2/FTO具有典型的双极性阻变行为。当对Au电极施加负电压时，器件一开始表现出高阻态（HRS）（过程1），施加电压0 V附近的电阻约为11 000Ω。随着电压的增大，电流缓慢增加，当施加的电压接近-3.8 V时，电流达到10-4A。施加电压超过-3.8 V时，器件的电流突然增大，超过了1 A，此时器件处于低阻态（LRS），电阻约为15Ω。通常将器件从HRS转变为LRS的过程称为“Set”过程。在施加的电压为-3.8 V到-5 V的过程中，器件仍然保持在LRS。当电压从-5 V扫描到0 V时，器件仍保持在LRS（过程2）。此时进一步对器件施加正电压，在电压较低的时候器件仍处于LRS （过程3）。当电压到4 V附近时电阻突然增大，电流由1 A降低到10-3A，此时器件转变为HRS。通常将器件从LRS转变为HRS的过程称为“Reset”过程。进一步增加扫描电压，器件的电阻继续缓慢增加，电流进一步降低直到10-4A。当电压从5 V扫描到0 V时，器件一直保持在HRS（过程4）。Cu In S2QDs与同类型半导体、量子点器件的阻变性能对比如表1所示。