《表1 几种典型的有机、无机、二维材料柔性ReRAM器件性能比较，对应阻变转换耐久性和弯曲疲劳耐久性》

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《柔性忆阻器研究进展》

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综上对于3种不同材料体系的柔性ReRAM器件，因材料本身特性不一样，故而器件所表现出来的性能会有所不同，如表1所示。对于常见的无机材料，如氧化物、硫化物、无定型硅等，因其材料失效应变较小（～1-2%），在反复弯曲之后易发生介质层材料破损从而影响柔性器件弯曲疲劳耐久性[47，53，54]，对于有机材料，虽然在柔性力学性能方面远远优于常见无机材料，然而在热稳定性方面性能较差，尤其是在高温工作环境下。在导电细丝型ReRAM器件中，在阻态转变过程中会产生大量的焦耳热引起高温，从而严重影响有机ReRAM阻变转换稳定性[53，55，56]。而二维材料兼有常见无机材料的热稳定性和有机材料的柔性性能，表现出较好的阻变稳定性和弯曲耐疲劳特性，因而在柔性ReRAM应用中有着极大的潜力。