《表1 RRAM阻变层材料技术分解表》

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《阻变存储器阻变层材料专利技术综述》

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阻变层材料是RRAM器件的核心。具有电阻转变效应的材料种类繁多，最常见的阻变层材料主要有金属氧化物、固态电解质和有机物三大类，如表1所示。其中，金属氧化物主要分为钙钛矿多元金属氧化物和二元过渡金属氧化物；固态电解质主要为含Cu、Ag硫族化合物；有机物可分为聚合物和有机小分子两类[2]。