《表3 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点pc-WLED器件的性能参数》

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《Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点的制备及其在照明显示领域的应用》

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目前，商用WLED主要是用蓝光InGaN芯片激发YAG:Ce荧光粉发出黄色光，通过发出的黄光与剩余的蓝光混合形成白光，由于YAG:Ce荧光粉的发射光谱较窄，缺少红光区域的发射，因此通常需要加入红色荧光粉来提高器件的显色指数（CRI）。然而，微米级的荧光粉将造成一系列的散射而导致器件的光效降低。此外，针对大面积照明中低成本、高效率、高显指的需求，稀土荧光粉正面临着价格昂贵、资源紧缺、光谱可调范围窄等严峻挑战。而Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点的发射谱覆盖范围宽，可有效补偿商用WLED中红光区域的缺失，为高显指WLED的组装提供了重要前提；此外，Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点具有较大的Stokes位移，可有效地减少因量子点本身自吸收作用而造成器件发光性能的下降，因而是用于WLED中的理想材料，表3列举了近年来Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族量子点在白光LED领域应用的相关成果。CuInS2基WLED器件最初被报道时的CRI仅有70～79[21，23]，未能达到室内照明的标准（CRI>80），往往需要将两到三种量子点混合与蓝光芯片封装成白光LED器件以提高其CRI[83]。随后，Yang等[16]分别制备出量子产率高达85%和83%的Cu-Ga-S/Zn S（CGS/ZnS）绿光和CIS/Zn S红光量子点，将其按照一定比例与环氧树脂混合并与InGaN蓝光芯片组装成“贴片式”WLED器件。如图5所示，在100 m A的工作电流下，随着CIS量子点质量分数的逐渐增加，器件的相关色温（CCT）由7582 K减小至4486K，发光效率（LE）由65.3 lm/W降低至40.5 lm/W，CIE坐标由（0.290，0.349）移动至（0.355，0.330）。随着电流的逐渐增加，器件的CRI最高可达97，获得了近乎于理想的WLED器件。