《表2 蓝光ZnSe量子点及其发光二极管器件研究进展》

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《无镉无铅环保型蓝光量子点及其发光二极管器件》

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2020年10月，Kim等人发现在量子点合成过程中引入的ZnCl2比原来的配体OA更能钝化表面缺陷[37]。为了同时改善电荷注入、传输和复合，他们在QLED中构建了具有梯度Cl-含量的双发光层。在原有的发光层上用ZnCl2进行洗膜工艺，进行更大程度的配体交换，去除残留的OA，制备出OA含量更小的发光层来提高空穴注入。在洗膜处理之后，膜层PL特性保持不变。制备出的双发光层QLED器件电流密度增加了约200倍，开启电压降低到2.6 V。优化后的EQE和亮度显著增强，达到了20.2%和88 900cd/m2，100cd/m2亮度下T50外推寿命（加速因子1.9)15 850h，是迄今为止报道的性能最好的蓝光QLED（图11）。表2总结了蓝光ZnSe量子点及其发光二极管器件的研究进展。