《表1 溶液加工的量子点发光二极管的电致发光性能》

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《基于掺杂空穴注入层的高性能全溶液加工量子点发光二极管》

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我们还将GO掺杂PEDOT:PSS所形成的PEDOT PSS-GO空穴注入层应用于正置结构全溶液加工QLEDs，其相应的器件结构图位于图5（a）的插图中.同时，还制备了对应的参考器件（未掺杂的PEDOT:PSS作为空穴注入层）.并对器件的光电性能进行了表征.结果显示，相比于参考器件，基于PEDOT:PSS-GO的正置结构全溶液加工QLEDs的电流密度和最大发光强度也表现出一定程度的提高（如图5所示），其中最大发光强度从7951 cd/m2增加到10380 cd/m2，实现了0.29倍的增长.将GO引入空穴注入层PEDOT:PSS可以提高正置和倒置两种结构全溶液加工QLEDs的性能，相比而言，这种方法更有利于解决倒置结构全溶液加工QLEDs中空穴注入端所遇到的困难.为了能够更直观地观察这种方法对两种结构全溶液加工QLEDs性能的影响，我们还将最优化的倒置结构和正置结构全溶液加工QLEDs的光电性能进行了比较，如表1所示.倒置结构全溶液加工QLEDs的光电性能明显高于相应的正置结构器件，其最大发光强度为对应正置结构器件的4.95倍.这一结果进一步表明，在空穴注入层PED-OT:PSS中掺入GO是实现高效倒置结构全溶液加工QLEDs的一种简单、有效的方法，推动了全溶液加工QLEDs的快速发展.