《表2 IP-6-Ph Cz、IP-7-Ph Cz、IP-8-Ph Cz和IP-9-Ph Cz的电致发光性质》

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《4-氮杂芴-9-酮衍生物的合成及发光性质》

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注：CIE（x，y）表示国际照明委员会坐标。

通过真空蒸镀法将这4例染料制成OLED器件，器件结构如下：ITO/PEDOT︰PSS（45 nm）/TAPC（20 nm）/m CP（10 nm）/DPEPO︰emitter（掺杂质量比为9︰1，20 nm）/DPEPO（10 nm）/Tm Py PB（40 nm）/Li F（1 nm）/Al（200 nm）（器件中的数值代表的是每个有机功能层的厚度，通过设备中的膜厚仪探测）。TAPC是第一空穴传输层，m CP是第二空穴传输层兼电子阻挡层。DPEPO既作主体材料也作空穴阻挡层，因为DPEPO具有较高的三重态能级（T1=3.0 e V)[19]，可以将能量有效限制在发光层内，减小器件效率滚降；DPEPO具有较低的HOMO能级，能将空穴限制在发光层中，防止漏电流的发生[20]。具有较高电子迁移率的Tm Py PB作为电子传输层，PEDOT:PSS和Li F分别作为空穴注入层和电子注入层。相关器件数据列于表2。