《表2 各300片CZ和GCZ抛光硅片的翘曲的统计分析结果[68]》

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《直拉硅单晶的杂质工程:微量掺锗的效应》

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Chen等[68]在相同条件下生长了掺锗浓度为1018 cm-3数量级的GCZ硅单晶以及普通的CZ硅单晶，两种硅单晶均为轻掺p型.用线切割法从这两根单晶的相同部位分别切下300片，再经过磨片、化学腐蚀和抛光等工艺，制备成抛光硅片.关于上述GCZ和CZ硅片的翘曲的统计分析结果，如表2所示.从表中可知，GCZ硅片的翘曲平均值及其标准方差均小于CZ硅片的.如前所述，在直拉硅单晶生长过程中，锗的掺入促进了原生氧沉淀的形成.原生氧沉淀的尺寸很小，它们“镶嵌”在硅晶格中，起着强化晶格的作用，因而有利于减少硅片的翘曲[69，70].