《表2 各样品的应力、翘曲以及晶体质量测试结果》

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《Si衬底GaN外延生长的应力调控》

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上述各样品的应力、翘曲以及晶体质量测试结果如表2所示。A-3样品的平均应力明显较小，反映到晶体质量也是最佳的；A-1样品（002）面、（102）面摇摆曲线的半高宽明显较大，说明Al N的生长厚度增加对于晶体质量有不利的影响。