《表4 不同Ga N厚度样品的晶体质量》

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《Si衬底GaN外延生长的应力调控》

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在上述研究基础上进行了Si基Ga N/Al Ga N HEMT结构的外延生长试验，其中Ga N的生长厚度为1.25μm，顶层Al0.25Ga N的厚度为20 nm左右，Hall效应测试显示样品的电子迁移率达到1430 cm2/v·s，每方阻为428Ω，实现了HEMT结构的基本性能，表明Si基Ga N的生长质量满足器件制备的基础材料质量要求。