《表1 不同硅膜厚度下晶体管Vth和静态电流》

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《薄硅膜SOI器件辐射效应研究》

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图6显示了不同硅膜SOI电路静态电流的辐射响应。由图可知，硅膜厚度为190～200nm时，辐射后电路静态电流明显增大并且超规范；当硅膜厚度为205～210nm时，辐射后电路静态电流保持恒定不变。因此，电路的静态电流随辐射剂量的增加而漏电增大，随SOI材料硅膜厚度的增加而漏电降低。