《表3 不同H2/SiH4气流量条件下制得硅膜的少子寿命》

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《不同沉积速率下微晶硅薄膜的生长行为研究》

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硅基薄膜的电学性能与少数载流子的存在状态密切相关。少子的存在状态通常用少子寿命来表征，是反应硅膜材料质量的重要参数[11]。因此，本文采用少子寿命来表征不同沉积速率下所得硅基薄膜的电学性能，检测结果如表3所示。