《表1 不同H2/SiH4气流量条件下制得硅膜的平均晶粒尺寸和晶化度》
鉴于所得薄膜均为晶体结构这一研究结果,本文又采用XRD对薄膜结构进行了物相分析(如图3所示),并通过对XRD图谱进行分析计算[7]得到不同沉积条件制得薄膜的整体晶化率和平均晶粒尺寸,结果如表1所示。
图表编号 | XD0032007700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.02.28 |
作者 | 鲁媛媛、李贺军、丁旭 |
绘制单位 | 西安航空学院材料工程学院新材料研究所、西北工业大学凝固技术国家重点实验室、西安航空学院材料工程学院新材料研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |