《表2 Ga N:Eu和Ga N:Eu,Mg样品的发光特征参数》

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《"Eu,Mg共掺GaN薄膜的结构和发光性能研究"》

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图5为Ga N:5×1014Eu与Ga N:5×1014Eu，Mg样品在室温下的PL光谱。对于Ga N:5×1014Eu样品，其中除最强的～622 nm发光峰外，还观察到～543.6，～601和～665 nm的发光峰，分别对应于5D1→7F1，5D0→7F1和5D0→7F3跃迁。如图5所示，相比于Ga N:5×1014Eu样品，在Ga N:5×1014Eu，Mg样品中，与Eu相关的发光峰强度整体增强，并且5D0→7F2跃迁所对应的～622 nm的发光峰强度显著提高，且如表2的数据所示，～622 nm发光峰的半高宽也随之减小。图6为Ga N:1×1015Eu与Ga N:1×1015Eu，Mg样品在室温下的PL光谱。在Mg注入到Ga N:1×1015Eu样品后，类似于Mg注入到Ga N:5×1014Eu样品的情况，与Eu相关的发光峰强度整体增强，位于～622 nm的发光峰强度明显增强，但增强幅度减小，半高宽也由Ga N:1×1015Eu样品中的1.388 nm增加到1.411 nm。以上结果表明Mg的注入能够在抑制非辐射复合的同时改变Eu离子周围的局部结构，从而选择性地增强Eu发光中心与Ga N基质之间的能量传递，促进Eu发光中心的光发射，但Mg的注入对不同Eu剂量下的Ga N:Eu样品发光强度的影响不同。此外，如图5和图6所示，在Mg注入到Ga N:Eu样品后，与Eu相关的发光峰位均没有发生变化，也没有新的发光峰出现，这一现象与Lee等[14]使用金属有机气相外延（OMVPE）方法制备的Ga N:Eu，Mg样品中形成了新发光中心的现象不同。这表明Ga N:Eu，Mg样品在不同的制备方法下，掺入的Mg对Ga N:Eu发光性质的影响是不同的。