《表2 两个样品化学清洗后和激活后Ga 3d和As 3d的XPS拟合谱峰占比》

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《GaAs光电阴极制备工艺中表面污染的微区分析》

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图4为Ga 3d的XPS谱图和分峰拟合谱图，分峰拟合中采用通常的Shirley样式背景线和GaussLorentz函数叠加分布.图4（a）、（c）为样品1化学清洗后和激活后的Ga 3d谱峰图，图4（b）、（d）为样品2化学清洗后和激活后的Ga 3d谱峰图.由图4可知，样品中Ga 3d的谱峰有两种状态，分别是高结合能（20.4eV）谱峰的Ga2O3和低结合能（19.1eV）谱峰的GaAs本体.计算得到的氧化物百分含量如表2.在化学清洗后，样品1、2中的Ga2O3分别占各自Ga 3d总量的2.08%和1.21%，说明化学清洗对于表面自然氧化层的去除效果明显，而激活后的Ga 3d谱峰由于激活过程中O的吸附，Ga2O3在整个Ga 3d谱中的占比有所增加，由表2可知，图4（c）样品1中Ga2O3占Ga 3d总量的8.11%，图4（d）样品2中Ga2O3占Ga 3d总量的8.32%.Ga2O3含量的变化说明在激活前后，两个样品Ga2O3对于Ga 3d的占比变化差异很小，这是由于Ga的电负性小，更容易与电负性较大的吸附O产生反应生成氧化物[12].