《表1 Ga N:Eu和Ga N:Eu,Mg样品中离子注入的参数》

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《"Eu,Mg共掺GaN薄膜的结构和发光性能研究"》

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通过金属有机气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石（0001）方向外延生长厚度约为4μm的Ga N薄膜。利用离子注入技术，将Eu离子掺杂进入Ga N晶格，Eu离子的注入能量为200 ke V，注入的剂量分别为1×1014，5×1014和1×1015cm-2。然后将具有不同Eu剂量的Ga N:Eu样品分割为两份，其中一份作为对照样品，另一份样品进行Mg的注入，注入能量为40 ke V，注入剂量均为5×1013cm-2，最终得到具有不同Eu、Mg掺杂比例的Ga N:Eu，Mg样品，样品清单如表1所示。为了避免沟道效应，对于Eu、Mg的离子注入，注入方向均偏离样品表面法线方向10°。随后，在1040℃下的NH3气氛中对所有离子注入的样品进行3 h的退火处理，用来恢复离子注入引起的晶格损伤。采用高分辨X射线衍射（X-ray diffraction，XRD）对离子注入后样品内部的缺陷变化进行表征。装配有共聚焦显微镜的Lab RAM HR 800仪器使用532 nm的激光作为激发源，对样品进行室温下的拉曼表征。随后对样品进行PL测试，激发源为高于Ga N禁带宽度的He-Cd(325 nm）激光器，使用光栅分光，电荷耦合器件（CCD）收集信号得到光致发光谱。