《表1 In Ga Zn O TFT模型模拟和计算的参数取值》

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《异步对称双栅InGaZnO薄膜晶体管表面电势的解析模型》

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In Ga Zn O TFT的电学特性受In Ga Zn O薄膜中缺陷态密度的影响很大[28]。为了进一步研究In Ga Zn O TFT表面势受到实际缺陷态密度的影响，利用TCAD分析In Ga Zn O TFT的4种缺陷态密度对表面势的影响，缺陷态密度取值如表1所示。在不同类受主带尾中心分布浓度nTA和类受主深能中心分布浓nDA下，表面势φS随底栅电压VGB变化的关系见图6。从图6（a）可见：当nTA从1.55×1016cm-3·e V-1增加到6.5×1020cm-3·e V-1时，表面势导通区随nTA增加而略微减小。从图6（b）可见：当nDA从6.5×1014cm-3·e V-1增加到6.5×1018cm-3·e V-1时，表面势导通区随nDA增加而显著减小。这是因为受主陷阱态可俘获自由载流子，nDA增加导致沟道电子减少，从而电场变小，导通区表面势减小。