《表2 非故意掺杂β-Ga2O3晶体的基本物理性质[10]》
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除此之外，作者课题组详细表征了非故意掺杂晶体硬度、折射率、光学带隙、载流子迁移率、电阻率等参数，如表2所示[10]。基本物理性能的系统表征为后期材料应用奠定了基础。
| 图表编号 | XD00140744800 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.02.01 |
| 作者 | 陶绪堂、穆文祥、贾志泰 |
| 绘制单位 | 山东大学晶体材料国家重点实验室、山东大学晶体材料国家重点实验室、山东大学晶体材料国家重点实验室 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
![表1 β-Ga2O3与其他半导体材料特性对比[24]Tab.1 Characteristics comparison betweenβ-Ga2O3and other semiconductor materials[24]](http://bookimg.mtoou.info/tubiao/gif/BDTJ201804001_26400.gif)
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