《表1 β-Ga2O3FET的特性》
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本文对Ga2O3材料特性进行了介绍，主要研究了Ga2O3场效应晶体管的发展现状，分析了不同结构FET的器件特性。表1给出了目前报道的几种典型的β-Ga2O3基场效应晶体管的基本性能参数。对Ga2O3功率器件发展过程中存在的问题总结如下：
| 图表编号 | XD00151139200 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.05.06 |
| 作者 | 高灿灿、马奎、杨发顺 |
| 绘制单位 | 贵州大学大数据与信息工程学院、贵州大学大数据与信息工程学院、半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心、贵州大学大数据与信息工程学院、半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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