《表1 各方法制备的β-Ga2O3欧姆接触特性》

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《β-Ga_2O_3欧姆接触的研究进展》

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2017年，P.H.Carey等人[66]对金属与β-Ga2O3之间插入AZO的欧姆接触进行了研究，并将其欧姆特性与直接淀积Ti/Au形成的欧姆接触进行了比较。对于AZO工艺，先向β-Ga2O3注入Si，然后淀积10 nm/20 nm/80 nm厚的AZO/Ti/Au叠层。即使没有后退火，AZO接触也表现出几乎线性的I-V特征。相比之下，即使在高达600℃下退火，Ti/Au参考接触也没有表现出线性I-V特性，如图11[66]所示。在400～600℃内退火时，接触电阻和比接触电阻分别为0.42Ω·mm和2.82×10-5Ω·cm2，证明AZO/β-Ga2O3异质结具有很大潜力在β-Ga2O3器件中用于欧姆接触。同时他们小组也研究了ITO/β-Ga2O3[62]接触，在600℃退火后，获得了良好的欧姆接触，接触电阻和比接触电阻分别为0.60Ω·mm和6.30×10-5Ω·cm2。P.H.Carey等人[62，66]报道的AZO和ITO与β-Ga2O3接触的比较如图12所示，图中RC为薄层电阻，RS为比接触电阻，RT为转移电阻。表1总结了本文报道的大多数β-Ga2O3欧姆接触的研究情况，包括金属叠层、衬底掺杂浓度、退火条件、比接触电阻以及相关工艺步骤。