《表1 常见SiC欧姆接触金属的功函数和电阻率[8]》

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《功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺》

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一个理想的金属-SiC欧姆接触需要其所建立的Schottky势垒尽可能的低。图1是金属-4H-SiC接触前的能带示意图，图中EC和EV分别是SiC的导带底和价带顶能级，EFn和EFp分别是SiC的电子和空穴费米能级，分别是SiC的EFn与EC之差和EFp与EV之差。由于4H-SiC的电子亲和能约为3.8 eV，室温下的禁带宽度是3.26 eV[5]，因此按照Schottky-Mott极限模型，理想的n型4H-SiC欧姆接触金属功函数应低于4 eV，p型欧姆接触金属功函数应高于7 eV。而常用的金属-半导体接触用金属功函数为4.2～6 eV，如表1[8]所示。因此，4H-SiC，特别是p型4H-SiC形成欧姆接触是非常困难的，需要通过重掺杂和高温退火，以降低Schottky势垒的高度和势垒区厚度。