《表2 基于Ni基金属同时形成n/p型4H-SiC欧姆接触工艺的部分文献结果》

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《功率器件用n/p型4H-SiC同时形成欧姆接触工艺》

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注：本文中多层金属之间的“/”表示金属结构顺序：左边为上层金属，右边为下层金属，最右边为与SiC直接接触金属；“∶”表示混合金属结构，全文同。

金属Ni是研究得最全面和最成功的SiC欧姆接触材料之一，其功函数为5.15 eV，可以在较宽掺杂浓度范围内与n型SiC形成较低比接触电阻率（ρc为10-5～10-6Ω·cm2）的欧姆接触[3]。基于Ni基金属同时形成n/p型4H-SiC欧姆接触工艺的部分文献结果见表2，表中TLM为传输长度模型，CTLM为环形传输线模型。