《表1 实验分组情况：DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响》

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《DPRM工艺中刻蚀工艺关键参数对N/P型MOS管交界处的影响》

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本文采用12inch（300mm）晶圆，在刻蚀多晶硅栅极前的步骤均采用标准工业流程，通过ECR等离子体源刻蚀机刻蚀多晶硅栅极，进行湿法清洗后得到样品。并用透射电子显微镜（TEM）对刻蚀样品进行结构形貌的表征。实验设计分组情况如表1所示，表中a均为基准数值。