《表2 优化后硅波导刻蚀工艺参数》
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通过实验数据分析，发现偏压功率是影响侧壁粗糙度和选择比的主要因素。通过大量对比实验，获得了如表2所示的最佳刻蚀工艺条件，其中Ws为射频源功率，Wb为偏压功率。
| 图表编号 | XD00193188900 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2021.02.20 |
| 作者 | 杨修伟、雷仁方、袁安波、岳志强、李琳 |
| 绘制单位 | 重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所、重庆光电技术研究所 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
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