《表1 优化后的刻蚀速率及均匀性》

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《GaN HEMT栅工艺优化及性能提升》

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为实现刻蚀过程的可控性，需将刻蚀速率控制在20 nm/min左右，这样刻蚀100 nm厚度SiN介质所用时间在5 min以上，能够确保较好的工艺窗口。由于气体配比、偏置功率和腔体压力对刻蚀后的SiN侧壁角度具有明确影响，因此在优化刻蚀速率时只调整ICP功率值，将原来的50 W调整为40 W，通过该参数的变化来调控腔体中产生的等离子体密度，进而对刻蚀速率进行优化，做到刻蚀可控。表1给出了优化后的刻蚀速率和均匀性，可见，在不同的总刻蚀时间下刻蚀速率均能稳定在20 nm/min附近；从晶圆上、下、左、中、右5点刻蚀深度的结果看，刻蚀均匀性在5%以内，表现良好。