《表3 UHAST试验前后器件电流值》

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《GaN HEMT栅工艺优化及性能提升》

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将经过栅工艺优化的器件进行划片切割，挑选2×125μm器件通过导电银浆贴装在测试管壳上，栅、源、漏端分别通过金丝线键合引出到封装管脚。将共10颗器件进行无偏置高加速应力测试（Unbiased Highly Accelerated Stress Test，UHAST）试验，试验环境温度为130℃，相对湿度85%，大气压2.3 atm，持续时间为96 h。试验后发现器件表面无明显变化，如图9所示。表3列出了器件试验前后测得的Id，max和Idss数据，试验前后电流波动幅度<5%，表明器件可靠性良好。