《表6 ICP刻蚀GaN的均匀性测试结果》
№9刻蚀目的是为了测试4个小片之间的均匀性,共放置4个小片,均匀性测试数据见表6。刻蚀效果见图6。
图表编号 | XD00155492200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.25 |
作者 | 李攀、卢宏 |
绘制单位 | 华中科技大学武汉光电国家研究中心、华中科技大学武汉光电国家研究中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
№9刻蚀目的是为了测试4个小片之间的均匀性,共放置4个小片,均匀性测试数据见表6。刻蚀效果见图6。
图表编号 | XD00155492200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.25 |
作者 | 李攀、卢宏 |
绘制单位 | 华中科技大学武汉光电国家研究中心、华中科技大学武汉光电国家研究中心 |
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