《表6 刻蚀均一性测试结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《电子纸的2W2D工艺改善研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

我们选用最佳a-Si成膜条件2；电子纸2W2D刻蚀条件，即降低两次湿刻时间并搭配灰化条件4，a-Si处理条件14，a-Si刻蚀时间条件6；钝化层成膜前处理条件3，对刻蚀后沟道厚度的均一性进行了验证，与增加了残留a-Si处理工艺的1W1D工艺对比，测试结果如表6所示。电子纸的2W2D工艺在无需管控半色调掩膜胶厚均一性的条件下，刻蚀后沟道均一性较传统1W1D提升50%，使曝光工序的返工发生率降低60%，减少了产能浪费，四周沟道过刻现象彻底改善，阵列检测良率得到了4%的提升。