《表1 ICP刻蚀不同recipe的测试》

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《MoRe合金超导微波平面腔的制备》

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如前文所说，我们蒸镀厚度为100nm的MoRe合金，因此我们在光刻好腔的图形后采用Oxford ICP180设备进行干法刻蚀.这里干法刻蚀的原理是用微波将气体电离成等离子体，利用等离子体进行轰击来刻蚀金属.所以在进行刻蚀的过程中微波也必须满足阻抗匹配[10].具体的我们测试过的满足阻抗匹配的配方见表1.其中1～4号配方只有刻蚀时间不一样，但刻蚀深度远远大于100nm，这说明金属已经被刻蚀完了，同时气体也刻蚀到了衬底上的氧化硅和硅.为了获得刚刚刻完金属而没有严重刻蚀衬底的工艺配方，我们降低了ICP功率和RIE功率，进行了5～7号配方的测试，最终我们获得了在实验上满足实验需求的7号配方.