《表1 不同配比的氟化气体和氧气混合气体对SiC的反应离子刻蚀效果对比》

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《碳化硅肖特基器件的刻蚀技术研究》

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刻蚀后的表面状况与刻蚀气体组成、腔体压强、刻蚀功率等刻蚀条件有关[3-4]。通常采用CHF3/O2、CBrF3/O2、CF4/O2、SF6/O2、NF3/O2这样的氟化气体与氧气的混合气体，或者是CF4/CHF3、SF6/CHF3、NF3/CHF3、SF6/NF3这样的不同氟化气体的混合来作为进行反应离子刻蚀的反应气体。在此，通过实验对比CHF3/O2、CBrF3/O2、SF6/O2三种混合气体在不同条件下的刻蚀效果，从中选择出刻蚀效果最好的实验条件搭配。实验数据如表1所示。