《表2 ICP刻蚀不同时长时的孔径与刻蚀速率统计表》
图3(a)给出了在ICP刻蚀时AAO孔径随时间的变化曲线,刻蚀时间以30 s的梯度从0 s增加到270 s,从图中可以看出随着刻蚀时间的延长,AAO的孔径逐渐增大。当刻蚀时间超过270 s时,AAO模板的侧壁会逐渐被破坏。孔径增大的同时孔径增大的速率也在加快,即刻蚀速率也逐渐增大,如图3(b)和表2所示。刻蚀速率增大的主要原因与刻蚀过程的物质输送机制[29]有关,随着孔径的增大,孔道结构的深宽比逐渐减小,刻蚀反应气体能够更好地流通到结构底部,反应生成的产物运输阻碍也减小,易于从结构中排出。
图表编号 | XD00173619700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.05.01 |
作者 | 郑雪、江睿、李谦、王伟哲、徐智谋、彭静 |
绘制单位 | 华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、华中科技大学光学与电子信息学院、武汉科技大学理学院 |
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